- 產(chǎn)品詳情
1N5770是一款低電容二極管陣列，具有公共陽極，由多個獨立的隔離結(jié)組成，通過平面工藝制造，并封裝在10引腳的陶瓷扁平封裝中。這些二極管用于保護多達八個I/O端口免受ESD(靜電放電)、EFT(電快速瞬變)或浪涌的影響，通過將它們導向地線。該產(chǎn)品還與1N5768型號配合使用，后者具有公共陰極。此外，可以在正電源線和地之間添加外部TVS二極管，以防止電源軌上的過電壓。它們也可用于快速開關(guān)核心驅(qū)動器應(yīng)用，包括計算機和外圍設(shè)備，如磁芯、薄膜存儲器、鍍線存儲器等，以及解碼或編碼應(yīng)用。這些陣列提供了集成電路的許多優(yōu)勢，如高密度封裝和提高的可靠性，這是由于減少了拾放操作、更小的占用空間、更輕的重量，以及消除了可能在PCB安裝中不太方便的各種離散封裝。
特性與應(yīng)用：
采用密封陶瓷封裝。
隔離二極管消除串擾電壓。
高擊穿電壓VBR > 60V(10μA)。
低漏電流IR < 100nA(40V)。
低電容C < 8.0pF。
提供符合MIL-PRF19500/474標準的JAN、JANTX、JANTXV和JANS篩選選項，通過在零件號前分別添加MQ、MX、MV或MSP前綴來指定。例如，MX1N5770表示JANTX篩選。
適用于高頻數(shù)據(jù)線、RS-232 & RS-422接口網(wǎng)絡(luò)、以太網(wǎng)10 Base T、計算機I/O端口、局域網(wǎng)、開關(guān)核心驅(qū)動器等。
最大額定值(機械和包裝)：
反向擊穿電壓VBR：最小60V。
連續(xù)前向電流IO：300mA。
前向浪涌電流IFSM：500mA(tp=1/120s)。
每個結(jié)在25°C時的功率耗散：400mW。
每個封裝在25°C時的功率耗散：500mW。
工作結(jié)溫范圍：-65至+150°C。
存儲溫度范圍：-65至+200°C。
重量：約0.25克。
