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DEI1606-MES-G浪涌抑制模塊SiC FET電流限制保護器航空級雷擊防護器件

2026-04-01 09:15:26

DEI1606-MES-G 是一款基于 SiC FET 技術的高性能浪涌電流抑制模塊，具備雙向保護能力、低阻抗工作特性和高能量浪涌吸收能力，符合 DO-160 航空雷擊防護標準，廣泛應用于航空電子、通信系統及高可靠性電子設備的電源與信號防護領域。

ART2K0FE,ART2K0FES,ART2K0FEG Ampleon 2KW RF功率晶體管

2026-03-31 08:56:40

Ampleon 推出的 ART2K0FE、ART2K0FES 和 ART2K0FEG專為高可靠性、高功率射頻應用而設計。該系列器件在 1 MHz 至 400 MHz 的寬頻范圍內，提供約 2kW 的輸出功率，工作電壓可達 65V，并具備 高耐受性、高效率（69%–72%）、高增益（約 28 dB）和優良的熱穩定性，適用于工業、廣播和通信等嚴苛環境中的高功率射頻功放系統。

Connor-Winfield D75F TCXO晶振±0.5ppm低抖動5x7mm振蕩器

2026-03-27 09:00:41

Connor-Winfield D75F TCXO晶振，±0.5ppm高穩定性，<1ps低抖動，適用于5G通信、工業控制及高精度頻率系統。

OCXO vs TCXO vs VCXO全解析：頻率控制器件選型指南

2026-03-26 09:10:11

全面解析OCXO、TCXO和VCXO的區別、優缺點及應用場景，幫助工程師快速選擇合適的頻率控制解決方案。

Bliley N47X/NV47X OCXO晶振|高穩定恒溫晶振10MHz~100MHz低相噪

2026-03-25 09:38:05

Bliley N47X / NV47X OCXO晶振，提供10MHz~100MHz高穩定頻率輸出，支持HCMOS/正弦波，低相噪、ppb級穩定度，適用于通信、測試及軍工系統。

QTCH500,QTCH510,QTCH550高溫晶振|DIP-8全金屬封裝|+200°C高可靠工業/軍工級時鐘振蕩器

2026-03-17 08:53:29

QTCH500系列是一款專為極端高溫環境（最高+200°C）設計的高可靠性晶體振蕩器，采用全金屬密封結構和高穩定性石英晶體技術，具備長期穩定工作能力。其核心電氣性能包括頻率范圍32.768kHz至48MHz，供電電壓可選1.8V至5.0V，頻率穩定度最高可達±100ppm，啟動時間≤10ms，老化率±5ppm/首年，并支持多種CMOS邏輯輸出。產品采用DIP-8全金屬氣密封裝，廣泛應用于軍工、航空航天、工業控制、油氣井下設備、汽車電子等高可靠性領域，是高溫環境下系統的核心時鐘源。

DEI1604-MES-G浪涌阻斷模塊|航空電子級SiC限流浪涌保護解決方案

2026-03-16 09:54:41

DEI1604-MES-G 是一款基于 SiC FET 技術的高可靠性浪涌阻斷模塊，集成限流與保險絲保護，適用于航空電子系統、雷電浪涌防護與 DO-160 標準應用場景，與 TVS 二極管配合可構建高性能浪涌防護電路。

Semelab D1040UK高功率射頻MOSFET晶體管

2026-03-13 09:09:52

D1040UK 是由 TT Electronics 旗下 Semelab 制造的 VHF 頻段高功率射頻 MOSFET，采用雙芯片并聯結構和陶瓷法蘭封裝，專為 88–108 MHz 頻段的高功率射頻放大應用設計。其典型性能參數包括約 400W 的輸出功率、28V 工作電壓、≥16 dB 的功率增益以及約 65% 的效率，具備高功率密度、優異射頻線性度和良好散熱能力。該器件適用于廣播發射機、無線通信系統、專業無線電設備及軍工/工業級射頻系統等需要高可靠性連續工作的場景。

Broadcom PEX90144|144通道PCIe 6.0高速交換芯片——面向AI數據中心與HPC的核心互連引擎

2026-03-10 09:02:55

Broadcom PEX90144 是博通基于 PCIe 6.0 規范開發的 144 通道高速交換芯片，采用 5nm 工藝制程，具備高達 64 GT/s 的單通道速率和向下兼容性，能夠靈活劃分端口，支持 AI 數據中心、高性能計算及大規模存儲等場景，通過非阻塞交換架構實現高帶寬、低延遲的設備互聯，為多加速器、高速網絡和存儲提供關鍵互連樞紐。

Vishay VJ0603A101KXCAP多層陶瓷電容器(100pF / 200V)

2026-03-05 09:03:24

Vishay 公司推出的 VJ0603A101KXCAP 是一款 非極性多層陶瓷電容器（MLCC），采用 0603（1608公制）貼片封裝，電容值為 100 pF，容差為 ±10%，額定直流電壓為 200 V，使用溫度穩定的 C0G（NP0） 介電材料，工作溫度范圍為 ?55°C 至 +150°C，符合 RoHS 環保標準，以 帶卷盤包裝 形式運輸，適用于通用電子設備中的濾波、定時、阻抗匹配等表面貼裝（SMD）應用。

Ampleon CLS3H3135L-700 S波段高功率GaN-on-SiC射頻功率晶體管

2026-03-05 09:00:31

Ampleon 推出的 CLS3H3135L-700 是一款專為 S波段長脈沖雷達應用 設計的高功率 GaN-on-SiC HEMT 射頻功率晶體管，工作頻率覆蓋 3.1 GHz – 3.5 GHz，提供典型 700 W 輸出功率，具有約 13.2 dB 增益和 ~57% 效率，采用 50 V 工作電壓與 SOT502A 封裝，支持最高 300 μs 長脈沖（占空比10%），主要應用于雷達發射鏈路、ERP/CHIRP 雷達系統以及空中交通控制、氣象、軍事監視等領域的高功率射頻環境。

Broadcom PEX8609高性能PCIe交換芯片8-Lane Gen2多端口互連

2026-03-04 09:15:42

博通（Broadcom）的PEX8609是一款屬于ExpressLane?系列的多通道PCI Express交換芯片（Switch IC），它通過支持最多8條PCIe通道和最多8個端口的可配置交換，在計算系統內部高效管理和分配PCIe帶寬。

Semelab D2216UK 15W 12.5V DMOS射頻功率晶體管

2026-03-03 08:57:26

Semelab D2216UK 是一款采用推挽結構的高性能 TetraFET DMOS RF 功率晶體管，專為 1 MHz 至 1 GHz 的寬帶射頻功率放大應用設計。典型應用包括 HF/VHF/UHF 通信設備、寬帶功放及工業無線系統。

Minco AS5140/AS5141系列工業級帶熱套RTD溫度傳感器

2026-03-02 08:58:29

Minco AS5140（單元件）和AS5141（雙元件）鉑RTD溫度傳感器是專為液體流動和高壓工況設計的快速、精確測溫組件，內置保護熱套。產品通過銅合金尖端敏感設計和彈簧壓緊結構提升熱傳導效率與響應速度，結合高精度鉑RTD元件確保優異重復性和線性。

Marvell 88E6390X 11端口以太網交換機芯片

2026-02-26 09:12:13

Marvell Link Street? 88E6390X 是一款高度集成的11口千兆以太網交換芯片，專為SOHO/SMB、工業及輕管理應用設計。該芯片主要應用于托管/非托管型千兆交換機、路由器以及對時間確定性有嚴格要求的工業網絡環境。

Focus Microwaves手動諧波調諧器MHMT-308-2H3H(0.8–2.4GHz)

2026-02-26 09:10:04

MHMT-308-2H3H是Focus Microwaves推出的一款高性能手動諧波調諧器，專為Class F射頻功率放大器優化設計。該產品支持標準連接器（如APC-7、N型）及高功率版本（7/16連接器，200W），諧波VSWR性能優異（2fo >40:1，3fo >20:1），插入損耗低（<0.2dB），適用于高功率射頻模塊的研發、測試和生產優化。

Ampleon ART2K5TFUS/ART2K5TFUG 2500W LDMOS功率晶體管

2026-02-25 10:00:39

Ampleon ART2K5TFUS/G 是一顆“扛得住 65:1 VSWR、輸出 2.5 kW、效率近 75 %”的寬帶 rugged LDMOS，特別適合高功率、高反射、高可靠性場合。

Onsemi功率MOSFET NTTFS6H860NLTAG

2026-02-25 09:57:09

Onsemi NTTFS6H860NL 是一款80V耐壓、30A電流的N溝道功率MOSFET，采用超小型3.3mm×3.3mm封裝，在極低導通電阻（最低16.5mΩ）下實現高功率密度，特別適用于空間受限的高效能電源管理場景，如DC-DC轉換、電機驅動和快充設備。

Vishay 597D337X0020H2T 超低 ESR 固鉭電容

2026-02-06 08:41:57

Vishay 597D系列是一款高性能的固鉭貼片電容器，以超低ESR（最低6 mΩ）、高容量-電壓密度（最高2200 μF / 75 V）、高可靠性（100%通過浪涌電流篩選）為核心特點，適用于航空、軍工及高端工業等對體積、壽命和紋波電流要求苛刻的領域。

Semelab D2002UK射頻功率MOSFET晶體管

2026-02-05 09:04:10

D2002UK 是一款由 Semelab（TT Electronics）生產的 N 溝道射頻功率 MOSFET，采用 DP 陶瓷法蘭封裝，適用于中低功率、寬頻帶（DC 至 1 GHz）的射頻放大與發射場景，典型輸出功率約 5 W，功率增益約 13 dB，具備良好的散熱性能和可靠性，常用于 VHF/UHF 功率放大器、無線通信發射模塊、工業射頻設備及測試儀表等應用。