MICRON DDR3 SDRAM
發布時間:2021-06-22 17:11:18 瀏覽:3981
MICRON DDR3 SDRAM提供比以往的DDR和DDR2SDRAM更多的帶寬。除了優良的性能指標外,MICRON DDR3還具備較低的工作電壓范圍。其結果可能是在消耗相同或更少的系統功率的同時,具有更高的帶寬。
特征
寬度:x8, x16;
電壓:1.35V,1.5V;
封裝:FBGA;
時鐘頻率:933 MHz,1066 MHz;
操作溫度:0℃至+95℃、-40℃C至+95℃、-40℃至+105℃、-40℃至+125℃;
深圳市立維創展科技有限公司,以庫存MICRON高可靠性內存顆粒芯片和工業級內存條為特色產品優勢。歡迎咨詢合作。
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零件號
MT41J128M16JT-093
密度:2Gb
深度:128Mb
寬度:x16
電壓:1.5V
操作溫度:0℃至+95℃
MT41J128M16JT-107G
密度:2Gb
深度:128Mb
寬度:x16
電壓:1.5V
操作溫度:0℃至+95℃
MT41J128M16JT-125
密度:2Gb
深度:128Mb
寬度:x16
電壓:1.5V
操作溫度:0℃至+95℃
MT41J256M8DA-125
密度:2Gb
深度:256Mb
寬度:x8
電壓:1.5V
操作溫度:0℃至+95℃
MT41J64M16TW-093
密度:1Gb
深度:64Mb
寬度:x16
電壓:1.5V
操作溫度:0℃至+95℃
MT41K128M16JT-107
密度:2Gb
深度:128Mb
寬度:x16
電壓:1.35V
操作溫度:0℃至+95℃
MT41K128M16JT-107 AAT
密度:2Gb
深度:128Mb
寬度:x16
電壓:1.35V
操作溫度:-40℃ 至 +105℃
MT41K128M16JT-107 IT
密度:2Gb
深度:128Mb
寬度:x16
電壓:1.35V
操作溫度:-40℃ 至 +95℃
MT41K128M16JT-125
密度:2Gb
深度:128Mb
寬度:x16
電壓:1.35V
操作溫度:0℃至+95℃
MT41K128M16JT-125 AAT
密度:2Gb
深度:128Mb
寬度:x16
電壓:1.35V
操作溫度:-40℃ 至 +105℃
MT41K128M16JT-125 AIT
密度:2Gb
深度:128Mb
寬度:x16
電壓:1.35V
操作溫度:-40℃ 至 +95℃
MT41K128M16JT-125 AUT
密度:2Gb
深度:128Mb
寬度:x16
電壓:1.35V
操作溫度:-40℃ 至 +125℃
MT41K128M16JT-125 IT
密度:2Gb
深度:128Mb
寬度:x16
電壓:1.35V
操作溫度:-40℃ 至 +95℃
MT41K128M16JT-125 M
密度:2Gb
深度:128Mb
寬度:x16
電壓:1.35V
操作溫度:0℃至+95℃
MT41K128M16JT-125 XIT
密度:2Gb
深度:128Mb
寬度:x16
電壓:1.35V
操作溫度:-40℃ 至 +95℃
MT41K128M8DA-107
密度:1Gb
深度:128Mb
寬度:x8
電壓:1.35V
操作溫度:0℃至+95℃
MT41K128M8DA-107 IT
密度:1Gb
深度:128Mb
寬度:x8
電壓:1.35V
操作溫度:-40℃ 至 +95℃
MT41K1G8SN-107
密度:8Gb
深度:1Gb
寬度:x8
電壓:1.35V
操作溫度:0℃至+95℃
MT41K1G8SN-125
密度:8Gb
深度:1Gb
寬度:x8
電壓:1.35V
操作溫度:0℃至+95℃
MT41K256M16TW-093
密度:4GB
深度:256Mb
寬度:x16
電壓:1.35V
操作溫度:0℃至+95℃
MT41K256M16TW-107
密度:4GB
深度:256Mb
寬度:x16
電壓:1.35V
操作溫度:0℃至+95℃
MT41K256M16TW-107 AAT
密度:4GB
深度:256Mb
寬度:x16
電壓:1.35V
操作溫度:-40℃ 至 +105℃
MT41K256M16TW-107 AIT
密度:4GB
深度:256Mb
寬度:x16
電壓:1.35V
操作溫度:-40℃ 至 +95℃
MT41K256M16TW-107 AUT
密度:4GB
深度:256Mb
寬度:x16
電壓:1.35V
操作溫度:-40℃ 至 +125℃
MT41K256M16TW-107 IT
密度:4GB
深度:256Mb
寬度:x16
電壓:1.35V
操作溫度:-40℃ 至 +95℃
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PmT - 3210 - Frequency (GHz) 是 Princeton Microwave Technology Inc. 生產的高性能相位鎖定振蕩器(PLO),專為高頻率穩定性、低相位噪聲和寬頻率范圍應用設計,適用于通信、雷達等領域。
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