安森美SiC MOSFET技術引領高效能源的未來
發布時間:2025-11-05 09:01:05 瀏覽:272
為什么選擇SiC?
相比傳統硅器件,碳化硅(SiC)具有明顯優勢:
耐壓更高(10倍于硅)
耐溫更好(3倍于硅)
發熱更低
開關更快

安森美(onsemi) SiC MOSFET的核心優勢
安森美最新推出的1200V/900V SiC MOSFET系列(如NTHL020N120SC1)展現出顯著的技術亮點:
超低導通電阻(RDSon):大幅降低傳導損耗
優化的柵極驅動(Rg=1.81Ω):實現更快開關速度
無閾值電壓漂移:長期穩定性優于競品
高dv/dt耐受能力(>100V/ns):抗干擾性強
應用案例:在太陽能逆變器中,采用SiC MOSFET可降低系統損耗達30%,效率輕松突破98%。

主要應用場景
1. 太陽能逆變器
特點:效率更高(>98%)、體積更小
趨勢:
小型逆變器:采用SiC分立器件
大型逆變器:逐步轉向全SiC模塊
2. 電動車充電
快充樁:必須使用SiC
充電更快
設備更小
發熱更少
典型案例:特斯拉超充已全面采用SiC

深圳市立維創展科技有限公司優勢提供Onsemi的MOSFETs、AC-DC/DC-DC電源轉換器模塊及碳化硅(SiC)產品,歡迎咨詢了解。
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